3 诺伊斯、基尔比和集成电路（4 / 5）

法：在块硅片上沉积层保护性二氧化硅，然后在需要地方蚀刻孔并沉积额外材料。沉积保护层避免材料,bao露在会导致缺陷空气和杂质中，这是可靠性方面大进步。

《1959年：实用单片集成电路概念获得专利》（1959:PracticalMonolithicIntegratedCircuitConceptPatented），美国计算机历史博物馆，https://www.computerhistory.org/siliconengine/practical-monolithic-integrated-circuit-concept-patented/。克里斯托夫·勒库尔（ChristopheLecuyer）和大卫·布罗克，《微芯片制造商》（MakersoftheMicrochip），麻省理工学院出版社，2010年。罗伯特·诺伊斯，“半导体器件和引线结构”（SemiconductorDevice-and-LeadStructure），美国2981877号专利，1959年7月30日提交，1961年4月25日发布，https://patentimages.storage.googleapis.com/e1/73/1e/7404cd5ad6325c/US2981877.pdf。迈克尔·赖尔登（MichaelRiordan），《二氧化硅解决方案》（TheSiliconDioxideSolution），《IEEE综览》（IEEESpectrum），2007年12月1日，https://spectrum.ieee.org/the-silicon-dioxide-solution。莱斯利·柏林，《微芯片背后人》，第53-81页。几个月后，诺伊斯意识到霍尔尼“平面工艺”可以用于在同块硅材料上制备多个晶体管。诺伊斯并不知道基尔比，那时，